Производитель Номер продукта:
SQJ858AEP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ858AEP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5759 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916290
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ858AEP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2450 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ858
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ858AEP-T1_GE3DKR
SQJ858AEP-T1_GE3CT
SQJ858AEP-T1-GE3
SQJ858AEP-T1-GE3-DG
SQJ858AEP-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
SIA433EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIE876DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK
