Производитель Номер продукта:
SQJ942EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ942EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 15A (Tc), 45A (Tc) 17W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916103
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ942EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Мощность - Макс
17W, 48W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ942
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ942EP-T1_GE3DKR
SQJ942EP-T1_GE3TR-DG
742-SQJ942EP-T1_GE3DKR
SQJ942EP-T1_GE3CT-DG
SQJ942EP-T1_GE3-DG
SQJ942EP-T1_GE3TR
742-SQJ942EP-T1_GE3TR
SQJ942EP-T1_GE3CT
742-SQJ942EP-T1_GE3CT
SQJ942EP-T1_GE3DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4963BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
SI6969DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
SI4565ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
