Производитель Номер продукта:
SQJA72EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJA72EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
2990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916655
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJA72EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1390 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
55W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJA72
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJA72EP-T1_GE3DKR
SQJA72EP-T1_GE3CT
SQJA72EP-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
SIHP23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB
SQJ474EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
