SQJA80EP-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJA80EP-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJA80EP-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

2760 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918460
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJA80EP-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJA80

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJA80EP-T1_GE3TR
SQJA80EP-T1_GE3CT
SQJA80EP-T1_GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4688DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

nexperia

BUK763R6-40C,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

vishay-siliconix

SI9424BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO

vishay-siliconix

SQD50P08-25L_GE3

MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA