SQJQ142E-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJQ142E-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJQ142E-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 460A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Инвентаризация:

1200 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978100
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJQ142E-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
460A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.24mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6975 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 8 x 8
Базовый номер продукта
SQJQ142

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SQJQ142E-T1_GE3CT
742-SQJQ142E-T1_GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI1308EDL-T1-BE3

MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3

central-semiconductor

CP805-CXDM4060P-WN

MOSFET P-CH 40V 6.4A DIE

stmicroelectronics

STH10N80K5-2AG

MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2

vishay-siliconix

SQJ142EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8