SQJQ960EL-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJQ960EL-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJQ960EL-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

Инвентаризация:

4236 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915843
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJQ960EL-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950pF @ 25V
Мощность - Макс
71W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Базовый номер продукта
SQJQ960

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQJQ960EL-T1_GE3TR
SQJQ960EL-T1_GE3CT
SQJQ960EL-T1_GE3DKR
SQJQ960EL-T1_GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR

vishay-siliconix

SI4910DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6