Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SQM120N03-1M5L_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Подробное описание:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12920136
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQM120N03-1M5L_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15605 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SQM120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SQM120N03-1M5L_GE3
HTML Спецификация
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L_GE3CT
SQM120N03-1M5L-GE3-DG
SQM120N03-1M5L_GE3TR
SQM120N03-1M5L_GE3DKR
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PSMN1R5-30BLEJ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9771
Номер части
PSMN1R5-30BLEJ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.01
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK7607-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
SISHA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
SIE800DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK