Производитель Номер продукта:
SQM120N04-1M7L_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQM120N04-1M7L_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
2298 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786359
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQM120N04-1M7L_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14606 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SQM120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
SQM120N04-1M7L-GE3TR-DG
SQM120N04-1M7L-GE3TR
SQM120N04-1M7L_GE3TR
SQM120N04-1M7L-GE3-DG
SQM120N04-1M7L-GE3CT-DG
SQM120N04-1M7L_GE3CT
SQM120N04-1M7L-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
SQM40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
