SQM120N06-06_GE3
Производитель Номер продукта:

SQM120N06-06_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQM120N06-06_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12920341
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQM120N06-06_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6495 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SQM120

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
SQM120N06-06_GE3TR
SQM120N06-06_GE3-DG
SQM120N06-06_GE3CT
SQM120N06-06_GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRFS3307ZTRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
22960
Номер части
IRFS3307ZTRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRF3808STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3022
Номер части
IRF3808STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.30
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BUK6607-55C,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
400
Номер части
BUK6607-55C,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.80
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB80N06S407ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1176
Номер части
IPB80N06S407ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.68
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIRA72DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3427EEV-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4406DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

vishay-siliconix

SI7460DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8