Производитель Номер продукта:
SQS407ENW-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQS407ENW-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Подробное описание:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Инвентаризация:
28983 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787250
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQS407ENW-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4572 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8W
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8W
Базовый номер продукта
SQS407
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQS407ENW-T1_GE3DKR
SQS407ENW-T1_GE3CT
SQS407ENW-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHB21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
SQD50N04-5M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
