SUD09P10-195-BE3
Производитель Номер продукта:

SUD09P10-195-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SUD09P10-195-BE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

3157 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973812
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SUD09P10-195-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD09

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SUD09P10-195-BE3CT
742-SUD09P10-195-BE3DKR
742-SUD09P10-195-BE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQJA60EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

panjit

PJQ5450-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJF4NA65H_T0_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

onsemi

NVMFS5C442NLWFET1G

T6-40V N 2.5 MOHMS LL