Производитель Номер продукта:
SUD23N06-31-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUD23N06-31-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Подробное описание:
N-Channel 60 V 21.4A (Tc) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
8152 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786840
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUD23N06-31-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD23
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SUD23N0631GE3
SUD23N06-31-GE3DKR
SUD23N06-31-GE3TR
SUD23N06-31-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR474DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SUM90N04-3M3P-E3
MOSFET N-CH 40V 90A TO263
