SUD25N15-52-E3
Производитель Номер продукта:

SUD25N15-52-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SUD25N15-52-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Подробное описание:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

2999 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12961516
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SUD25N15-52-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1725 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD25

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SUD25N1552E3
SUD25N15-52-E3-DG
SUD25N15-52-E3TR
SUD25N15-52-E3CT
SUD25N15-52-E3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7440DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRLI640G

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3

vishay-siliconix

SQD40N06-25L-GE3

MOSFET N-CH 60V 30A TO252

vishay-siliconix

SI3429EDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP