Производитель Номер продукта:
SUD50N03-06AP-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUD50N03-06AP-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Подробное описание:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
4333 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786403
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUD50N03-06AP-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3800 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
10W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SUD50N03-06AP-E3CT
SUD50N03-06AP-E3TR
SUD50N03-06AP-E3-DG
SUD50N0306APE3
SUD50N03-06AP-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA406DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
SQD50P04-13L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIHA2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
