SUD50N03-12P-GE3
Производитель Номер продукта:

SUD50N03-12P-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SUD50N03-12P-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Подробное описание:
N-Channel 30 V 16.8A (Ta) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете
12786511
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SUD50N03-12P-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD50

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIRA50DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK

vishay-siliconix

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

vishay-siliconix

SIR422DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8