SUD50P04-09L-E3
Производитель Номер продукта:

SUD50P04-09L-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SUD50P04-09L-E3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Подробное описание:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

16067 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787070
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SUD50P04-09L-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD50

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SUD50P04-09L-E3-DG
SUD50P04-09L-E3CT
SUD50P0409LE3
SUD50P04-09L-E3DKR
SUD50P04-09L-E3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUM110N05-06L-E3

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

vishay-siliconix

SIS334DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIE874DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SUD50N03-16P-E3

MOSFET N-CH 30V TO252