SUD50P10-43-E3
Производитель Номер продукта:

SUD50P10-43-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SUD50P10-43-E3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Подробное описание:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

12787003
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SUD50P10-43-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5230 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD50

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
SUD50P10-43L-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4019
Номер части
SUD50P10-43L-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHFB20N50K-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

vishay-siliconix

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

vishay-siliconix

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

vishay-siliconix

SIE882DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK