Производитель Номер продукта:
SUG90090E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUG90090E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12918255
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUG90090E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
ThunderFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5220 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
395W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SUG90090
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
SUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-DG
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-DG
SUG90090E-GE3DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFP4668PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8420
Номер части
IRFP4668PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.38
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4456DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
SI3867DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
