Производитель Номер продукта:
SUP40P10-43-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP40P10-43-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Подробное описание:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12920426
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP40P10-43-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP40
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF5210PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6302
Номер части
IRF5210PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.00
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD23N06-31L-E3
MOSFET N-CH 60V TO252
SQM50P03-07_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
