Производитель Номер продукта:
SUP50N03-5M1P-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP50N03-5M1P-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12787731
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP50N03-5M1P-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2780 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SUP50N03-5M1P-GE3CT-DG
SUP50N03-5M1P-GE3CT
SUP50N035M1PGE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP042N03LGXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
238
Номер части
IPP042N03LGXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.49
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRL7833PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
518
Номер части
IRL7833PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.71
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQP120P06-6M7L_GE3
MOSFET P-CH 60V TO220AB
VP0808B-E3
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
VP1008B
MOSFET P-CH 100V 790MA TO39
