Производитель Номер продукта:
SUP75P05-08-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP75P05-08-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 55V 75A TO220AB
Подробное описание:
P-Channel 55 V 75A (Tc) 3.7W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12915988
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP75P05-08-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP75
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SUP75P05-08-E3CT
SUP75P05-08-E3CT-DG
SUP75P0508E3
SUP75P05-08-E3TRINACTIVE
SUP75P05-08-E3TR-DG
SUP75P05-08-E3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SUP90P06-09L-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3601
Номер части
SUP90P06-09L-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.37
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQR50N04-3M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
BUK752R7-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
