Производитель Номер продукта:
SUP85N02-03-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP85N02-03-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 20 V 85A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12919276
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP85N02-03-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
450mV @ 2mA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21250 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP85
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIHFS11N50A-GE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
SQM50N04-4M1_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
