Производитель Номер продукта:
SUP85N10-10-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP85N10-10-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole
Инвентаризация:
504 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787478
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP85N10-10-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP85
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SUP85N10-10-GE3DKR-DG
SUP85N10-10-GE3CT
SUP85N10-10-GE3DKRINACTIVE
SUP85N10-10-GE3TR
SUP85N10-10-GE3TR-DG
SUP85N10-10-GE3CT-DG
SUP85N10-10-GE3DKR
SUP85N10-10-GE3TRINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR158DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIDR390DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
