Производитель Номер продукта:
SUP90N06-6M0P-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP90N06-6M0P-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
581 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786896
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP90N06-6M0P-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4700 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 272W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SUP90N06-6M0P-E3CT-DG
SUP90N06-6M0P-E3DKRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3TR-DG
SUP90N06-6M0P-E3TR
SUP90N06-6M0P-E3TRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3DKR
SUP90N06-6M0P-E3DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
