IRFBE20PBF
Производитель Номер продукта:

IRFBE20PBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFBE20PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

1496 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13049530
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFBE20PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
54W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRFBE20

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRFBE20PBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay

IRFPC50LC

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

vishay

IRFR010TR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay

IRFBF30S

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay

IRF830AL

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK