Производитель Номер продукта:
SI1416EDH-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1416EDH-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Подробное описание:
N-Channel 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
40484 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13054794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
dsfj
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1416EDH-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SI1416
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1416EDH-T1-GE3TR
SI1416EDH-T1-GE3DKR
SI1416EDH-T1-GE3-ND
SI1416EDH-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IRFP450LCPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
SI4825DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
