Производитель Номер продукта:
SI4190DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4190DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Подробное описание:
N-Channel 100 V 20A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
13061369
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4190DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Упаковка
Cut Tape (CT)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4190DYT1GE3
SI4190DY-T1-GE3TR
SI4190DY-T1-GE3DKR
SI4190DY-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI4190ADY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SI4190ADY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.69
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDS86140
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FDS86140-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
