Производитель Номер продукта:
SI4590DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4590DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
3481 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13057553
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4590DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Изготовитель
Vishay Siliconix
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Last Time Buy
Технологии
-
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
57mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
360pF @ 50V
Мощность - Макс
2.4W, 3.4W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4590
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4590DY-T1-GE3TR
SI4590DY-T1-GE3DKR
SI4590DY-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SP8M51HZGTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1068
Номер части
SP8M51HZGTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
SI4569DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
SI4834BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
