Производитель Номер продукта:
SI7159DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7159DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Подробное описание:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
13057515
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7159DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5170 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7159
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7450DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
IRFR9214TRL
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
SI4890DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC