Производитель Номер продукта:
SIA413ADJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA413ADJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Инвентаризация:
2900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13058898
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA413ADJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
19W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIA413
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA413ADJ-T1-GE3DKR
SIA413ADJ-T1-GE3TR
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
SIA413ADJ-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
SI6435ADQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
