Производитель Номер продукта:
SIHB105N60EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB105N60EF-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
5691 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13141156
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB105N60EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1804 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB105
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
742-SIHB105N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHB105N60EF-GE3TR-ND
742-SIHB105N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHB105N60EF-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS94DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
R6030JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
