Производитель Номер продукта:
SIHB17N80E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB17N80E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
993 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13063289
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB17N80E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2408 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB17
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SIHB17N80E-GE3-ND
742-SIHB17N80E-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
