Производитель Номер продукта:
SIHB6N80E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB6N80E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
13006418
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB6N80E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
827 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Альтернативные модели
Номер детали
STB7ANM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB7ANM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.60
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
SQP120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
