Производитель Номер продукта:
SIHG22N60EL-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG22N60EL-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
13006930
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG22N60EL-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1690 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG22
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
SQP60N06-15_GE3
MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
