Производитель Номер продукта:
SIRA02DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA02DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
7498 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13060264
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA02DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6150 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA02
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA02DP-T1-GE3DKR
SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DP-T1-GE3CT
SIRA02DPT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQA442EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
SI7758DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6