Производитель Номер продукта:
SISS27DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISS27DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Подробное описание:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Инвентаризация:
27000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13009806
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISS27DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5250 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта
SISS27
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
