Производитель Номер продукта:
SQ4483BEEY-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ4483BEEY-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Подробное описание:
P-Channel 30 V 22A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
19900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13008079
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ4483BEEY-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SQ4483
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIHW47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
