SQA470EEJ-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQA470EEJ-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQA470EEJ-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Подробное описание:
N-Channel 30 V 2.25A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Инвентаризация:

5350 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13060824
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQA470EEJ-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
453 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
13.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SQA470

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQA470EEJ-T1_GE3TR
SQA470EEJ-T1_GE3DKR
SQA470EEJ-T1_GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay

SUP70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

vishay

SQ2351ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

vishay

SQ3418EEV-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

vishay

SI2305ADS-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3