SQD40N06-14L_GE3
Производитель Номер продукта:

SQD40N06-14L_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQD40N06-14L_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

5837 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13008759
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQD40N06-14L_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2105 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
75W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD40

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay

SIS456DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

vishay

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

vishay

SUD50N04-16P-E3

MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252

vishay

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8