Производитель Номер продукта:
SQJ940EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ940EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Инвентаризация:
8349 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13059115
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ940EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Изготовитель
Vishay Siliconix
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
896pF @ 20V
Мощность - Макс
48W, 43W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Базовый номер продукта
SQJ940
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ940EP-T1-GE3
SQJ940EP-T1_GE3CT
SQJ940EP-T1_GE3DKR
SQJ940EP-T1-GE3-ND
SQJ940EP-T1_GE3TR
SQJ940EP-T1_GE3-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7530DP-T1-E3
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO8
SI7501DN-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A PPAK 1212
SI7911DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A PPAK 1212
