Производитель Номер продукта:
SQM100P10-19L_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQM100P10-19L_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Подробное описание:
P-Channel 100 V 93A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1702 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13059792
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQM100P10-19L_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SQM100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
SQM100P10-19L_GE3CT
SQM100P10-19L_GE3-ND
SQM100P10-19L_GE3TR
SQM100P10-19L GE3
SQM100P10-19L_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISH434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
SI4038DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
SQ3460EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP