C3M0120065K
Производитель Номер продукта:

C3M0120065K

Product Overview

Производитель:

Wolfspeed, Inc.

Номер детали:

C3M0120065K-DG

Описание:

650V 120M SIC MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Инвентаризация:

607 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954796
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

C3M0120065K Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Wolfspeed
Упаковка
Tube
Серия
C3M™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 1.86mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
+19V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
640 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
98W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4L
Упаковка / Чехол
TO-247-4

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
1697-C3M0120065K
-3312-C3M0120065K

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
unitedsic

UF3C120150K4S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

diodes

ZXMP3A16GTA

MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223

toshiba-semiconductor-and-storage

TK090U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

infineon-technologies

IPP60R600P7

N-CHANNEL POWER MOSFET