C3M0350120J-TR
Производитель Номер продукта:

C3M0350120J-TR

Product Overview

Производитель:

Wolfspeed, Inc.

Номер детали:

C3M0350120J-TR-DG

Описание:

SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Инвентаризация:

13005826
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

C3M0350120J-TR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Wolfspeed
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
C3M™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
+15V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
345 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
40.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
C3M0350120

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
1697-C3M0350120J-TRCT
1697-C3M0350120J-TR
1697-C3M0350120J-TRDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

GAN190-650FBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

stmicroelectronics

STW65N023M9-4

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

good-ark-semiconductor

GSGA6R015

MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V

panjit

PSMQC094N10NS2_R2_00201

100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO