Производитель Номер продукта:
XP2N1K2EN1
Product Overview
Производитель:
YAGEO XSEMI
Номер детали:
XP2N1K2EN1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Подробное описание:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-723
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001041
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XP2N1K2EN1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
XP2N1K2E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 2.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
44 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-723
Упаковка / Чехол
SOT-723
Базовый номер продукта
XP2N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
5048-XP2N1K2EN1DKR
5048-XP2N1K2EN1TR
5048-XP2N1K2EN1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
XP9561GI
MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
XP3N1R0MT
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
XP10NA1R5TL
MOSFET N-CH 100V 300A TOLL