Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
AOI1N60
Product Overview
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер детали:
AOI1N60-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12845275
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AOI1N60 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251A
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
AOI1
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
TO251A Pkg Drawing
Технические характеристики
AOI1N60
HTML Спецификация
AOI1N60-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTU8N70X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
64
Номер части
IXTU8N70X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.71
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOT12N50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
AO7411
MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6
AO4302
MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
NVMYS021N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK