Производитель Номер продукта:
BSS123
Product Overview
Производитель:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Номер детали:
BSS123-DG
Описание:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Инвентаризация:
143884 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988660
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS123 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Anbon Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
350mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4530-BSS123TR
4530-BSS123CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH2R903PL,L1Q
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
IPW65R125CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
