Производитель Номер продукта:
IPW65R125CFD7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R125CFD7XKSA1-DG
Описание:
HIGH POWER_NEW
Подробное описание:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
12988685
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R125CFD7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ CFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 420µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
98W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IPW65R125CFD7XKSA1
SP005413372
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
