BSS138WT106
Производитель Номер продукта:

BSS138WT106

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

BSS138WT106-DG

Описание:

NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
Подробное описание:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3

Инвентаризация:

1958 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988693
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSS138WT106 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 310mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
UMT3
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-BSS138WT106CT
846-BSS138WT106TR
846-BSS138WT106DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK5A60W5,S5VX

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH4R008QM,LQ

POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV

infineon-technologies

IPB65R125CFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW