Производитель Номер продукта:
TPH4R008QM,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH4R008QM,LQ-DG
Описание:
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Подробное описание:
N-Channel 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Инвентаризация:
4878 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988710
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH4R008QM,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPH4R008QM,LQTR
264-TPH4R008QM,LQCT
264-TPH4R008QMLQTR-DG
264-TPH4R008QM,LQDKR
264-TPH4R008QMLQTR
264-TPH4R008QM,LQTR-DG
TPH4R008QM,LQ(M1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
