Производитель Номер продукта:
DMG4800LK3-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG4800LK3-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Инвентаризация:
6452 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12882857
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG4800LK3-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
798 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.71W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMG4800
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N7002TQ-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
